SANARI PATENT 新電元勝訴の東京地裁判決

Innovation of Telecom Infrastructure: SHINDENGENN Group Developing Over Seas Market：　今次東京地裁判決は新電元勝訴(2007-10-23)
弁理士　佐成　重範 sanaripat@nifty.com Web検索SANARI PATENT
関連記事http://patentsanari.cocolog-nifty.com/blog/　2007-10-26
１．レクティファイヤ−の均等主張を東京地裁が否認：
インタ−ナショナル　レクティファイヤ−　コ−ポレ−ション（米国カリフォルニア州）（以下「レクティファイヤ−」）が新電元工業（以下「新電元」）に対して提起していた特許権侵害に対する４億円損害賠償請求事件について、東京地裁は原告の請求を棄却し、新電元の勝訴判決となったが、判決理由の核心は、上記関連記事に記載したように、「新電元の製品が、レクティファイヤ−の特許と均等であるから、レクティファイヤ−の特許を侵害している」というレクティファイヤ−の均等主張を認めなかったことである。

２．均等論の骨子
　　わが国の最高裁は、均等論の適用要件として次の４項目を示している。
2-1 特許発明の非本質的部分であること
2-2 作用・効果の同一性・置換可能性があること
2-3 置換容易性が侵害時において認められること
2-4 公知技術水準に属しないこと
2-5 禁反言等に該当しないこと

３．新電元グル−プの知財開発
3-1　新電元（東証１部）は、「エネルギ−の最効率的変換の追求による社会貢献」(Making Contribution to People and Society by Pursuing the Most Efficient Energy Conversion)を社是としているが、野村證券・東洋経済の活用医者四季報は、新電元の特色を「整流器から出発して半導体・電源・電装機器を柱とし、通信インフラ向けが強い」と述べ、「生産は主に子会社」と付言している。従って、企業グル−プとして把握すべきである。
3-2　その知財開発も活発であり、今年に入ってからの特許公開は、半導体関係に限定しても１６件を数える。事例として（SANARI PATENT要約）
3-2-1　半導体装置（特許公開日2007-10-25）
ビルトイン電圧(SANARI PATENT 注：電流が流れ始める電圧)を低減できる半導体装置を提供する。
3-2-2 ＩＧＢＴの製造方法（特許公開日2007-10-18）
ＩＧＢＴ(SANARI PATENT 注：電気エネルギ−制御用半導体スイッチング素子の一つで、絶縁ゲ−ト型ハイポ−ラ・トランジスタの略称)におけるホ−ル注入量の微調整が容易で、低コストで製造可能なＩＧＢＴ製造方法を提供する。
3-2-3 半導体装置（特許公開日2007-10-11）
従来よりも大きな破壊耐量を有する半導体装置を提供する。
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